STMicroelectronics STD6N65M2
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STD6N65M2
2381-STD6N65M2
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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STMICROELECTRONICS STD6N65M2 Power MOSFET, N Channel, 4 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V
--最小包装量--
STD6N65M2详情
STMicroelectronics STD6N65M2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
质量
3.949996g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
60W Tc
Turn Off Delay Time
6.5 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
MDmesh™
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STD6N
通道数量
1
接通延迟时间
19 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.35 Ω @ 2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
226pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
9.8nC @ 10V
上升时间
7ns
Vgs(最大值)
±25V
下降时间(典型值)
20 ns
连续放电电流(ID)
4A
阈值电压
3V
栅极至源极电压(Vgs)
25V
漏源击穿电压
650V
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STD6N65M2拓展信息
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