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首页 全部分类 SPD04N60S5 vs IPD60R750E6ATMA1

SPD04N60S5备选型号: IPD60R750E6ATMA1

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  • 引脚数量
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  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
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  • 辐射硬化
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  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 供应商器件包装
  • 质量
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  • 最小工作温度
  • 通道数量
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Infineon Technologies
    SPD04N60S5
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252
    Tin
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    YES
    3
    SILICON
    4.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™
    2005
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE
    600V
    鸥翼
    4.5A
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    50W
    DRAIN
    55 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    950m Ω @ 2.8A, 10V
    5.5V @ 200μA
    580pF @ 25V
    22.9nC @ 10V
    30ns
    ±20V
    15 ns
    4.5A
    TO-252AA
    20V
    0.95Ohm
    600V
    9A
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD60R750E6ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 600V 5.7A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    -
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    3
    -
    5.7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ E6
    2011
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    9 ns
    N-Channel
    -
    750mOhm @ 2A, 10V
    3.5V @ 170μA
    373pF @ 100V
    17.2nC @ 10V
    7ns
    ±20V
    12 ns
    5.7A
    -
    20V
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    PG-TO252-3
    3.949996g
    150°C
    -55°C
    1
    600V
    600V
    373pF
    680mOhm
    750 mΩ
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