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首页 全部分类 SPD04P10PGBTMA1 vs FQD5N15TF

SPD04P10PGBTMA1备选型号: FQD5N15TF

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  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 漏源击穿电压
  • Infineon Technologies
    SPD04P10PGBTMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    4A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SIPMOS®
    2007
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    4
    R-PSSO-G2
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    38W
    DRAIN
    5.7 ns
    P-Channel
    1 Ω @ 2.8A, 10V
    4V @ 380μA
    不含卤素
    319pF @ 25V
    12nC @ 10V
    8.6ns
    100V
    ±20V
    4.5 ns
    4A
    TO-252AA
    20V
    -100V
    4A
    57 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQD5N15TF
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    4.3A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    2000
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2.5W
    -
    -
    N-Channel
    800m Ω @ 2.15A, 10V
    4V @ 250μA
    -
    230pF @ 25V
    7nC @ 10V
    45ns
    -
    ±25V
    25 ns
    4.3A
    -
    25V
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    260.37mg
    150V
    4A
    Single
    150V
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