Infineon Technologies IPD65R950C6ATMA1

工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

质量

3.949996g

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

37W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.5A Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.5V @ 200μA

Turn Off Delay Time

41 ns

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

已出版

2008

系列

CoolMOS™ C6

JESD-609代码

e3

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Tin (Sn)

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

37W

接通延迟时间

6.6 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

950m Ω @ 1.5A, 10V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

328pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15.3nC @ 10V

上升时间

5.2ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

13.6 ns

连续放电电流(ID)

4.5A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

650V

漏极-源极导通最大电阻

0.95Ohm

漏源击穿电压

650V

雪崩能量等级（Eas）

50 mJ

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Contains Lead, Lead Free