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首页 全部分类 SPD09P06PLGBTMA1 vs FDD5614P

SPD09P06PLGBTMA1备选型号: FDD5614P

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  • 场效应管类型
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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 无铅
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  • 质量
  • JESD-609代码
  • 终端
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  • 额定电流
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  • 元素配置
  • 电流
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
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  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
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  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    SPD09P06PLGBTMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET P-CH 60V 9.7A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    9.7A Tc
    2V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SIPMOS®
    2008
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G2
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    42W
    P-Channel
    250m Ω @ 6.8A, 10V
    不含卤素
    450pF @ 25V
    21nC @ 10V
    60V
    ±20V
    9.7A
    TO-252AB
    20V
    -60V
    0.25Ohm
    70 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD5614P
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDD5614P - P CHANNEL MOSFET, 60V, 15A, TO-252
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    19 ns
    3V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2005
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 9 hours ago)
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    -
    鸥翼
    -
    -
    R-PSSO-G2
    -
    -
    增强型MOSFET
    42W
    P-Channel
    100m Ω @ 4.5A, 10V
    -
    759pF @ 30V
    24nC @ 10V
    -
    ±20V
    -15A
    -
    20V
    -
    -
    90 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    4.535924g
    e3
    SMD/SMT
    100MOhm
    -60V
    -15A
    1
    60V
    Single
    15A
    DRAIN
    7 ns
    SWITCHING
    10ns
    12 ns
    -1.6V
    -60V
    -60V
    175°C
    -1.6 V
    2.39mm
    6.73mm
    6.6mm
    无SVHC
    无
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