Infineon Technologies SPD09P06PLGBTMA1

工厂交货时间

18 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.7A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

42W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 250μA

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

SIPMOS®

已出版

2008

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

42W

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

250m Ω @ 6.8A, 10V

无卤素

不含卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

450pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

21nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

9.7A

JEDEC-95代码

TO-252AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

-60V

漏极-源极导通最大电阻

0.25Ohm

雪崩能量等级（Eas）

70 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅