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首页 全部分类 SPD09P06PLGBTMA1 vs IPD090N03LGATMA1

SPD09P06PLGBTMA1备选型号: IPD090N03LGATMA1

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  • 无铅
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  • 端子表面处理
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 漏源击穿电压
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  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    SPD09P06PLGBTMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET P-CH 60V 9.7A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    9.7A Tc
    2V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SIPMOS®
    2008
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G2
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    42W
    P-Channel
    250m Ω @ 6.8A, 10V
    不含卤素
    450pF @ 25V
    21nC @ 10V
    60V
    ±20V
    9.7A
    TO-252AB
    20V
    -60V
    0.25Ohm
    70 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD090N03LGATMA1
    Infineon Technologies
    N-channel MOSFET Transistor, 40 A, 30 V, 3-pin PG-TO-252-3-11
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    40A Tc
    2.2V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2006
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    -
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G2
    不合格
    -
    增强型MOSFET
    42W
    N-Channel
    9m Ω @ 30A, 10V
    -
    1600pF @ 15V
    15nC @ 10V
    -
    ±20V
    40A
    -
    20V
    -
    -
    70 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    e3
    Tin (Sn)
    Single
    DRAIN
    4 ns
    SWITCHING
    3ns
    2.6 ns
    30V
    280A
    not_compliant
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