SPD09P06PLGBTMA1备选型号: STD12NF06T4
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- JESD-609代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 基本部件号
- 元素配置
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- Trans MOSFET P-CH 60V 9.7A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R18 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON9.7A Tc2V @ 250μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)SIPMOS®2008no活跃1 (Unlimited)2EAR99AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLESINGLE鸥翼未说明未说明R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET42WP-Channel250m Ω @ 6.8A, 10V不含卤素450pF @ 25V21nC @ 10V60V±20V9.7ATO-252AB20V-60V0.25Ohm70 mJROHS3 Compliant含铅--------------------
- MOSFET N-CH 60V 12A DPAK-表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON12A Tc4V @ 250μA-55°C~175°C TJCut Tape (CT)STripFET™ II--ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)1 (Unlimited)2EAR99--鸥翼26030R-PSSO-G2--增强型MOSFET30WN-Channel100m Ω @ 6A, 10V-315pF @ 25V12nC @ 10V-±20V12A-20V---ROHS3 Compliant无铅Tine3100mOhm60V12ASTD12SingleDRAIN7 nsSWITCHING18ns6 ns3V60V48A2.4mm6.6mm6.2mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDD4243 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET P-CH 40V 6.7A DPAK | 对比 |
![]() | IPD090N03LGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | N-channel MOSFET Transistor, 40 A, 30 V, 3-pin PG-TO-252-3-11 | 对比 |
![]() | STD12NF06T4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK | 对比 |





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