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首页 全部分类 SPP07N60S5 vs IPP60R520C6XKSA1

SPP07N60S5备选型号: IPP60R520C6XKSA1

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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 配置
  • 晶体管应用
  • Infineon Technologies
    SPP07N60S5
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220AB
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    7.3A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2004
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    雪崩 额定
    650V
    未说明
    7.3A
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    83W
    DRAIN
    120 ns
    N-Channel
    600m Ω @ 4.6A, 10V
    5.5V @ 350μA
    不含卤素
    970pF @ 25V
    35nC @ 10V
    40ns
    ±20V
    20 ns
    7.3A
    4.5V
    TO-220AB
    20V
    600V
    0.6Ohm
    600V
    14.6A
    9.45mm
    10.36mm
    4.57mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP60R520C6XKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin(3 Tab) TO-220
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    8.1A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2011
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    未说明
    -
    未说明
    3
    不合格
    -
    增强型MOSFET
    66W
    -
    13 ns
    N-Channel
    520m Ω @ 2.8A, 10V
    3.5V @ 230μA
    无卤素
    512pF @ 100V
    23.4nC @ 10V
    10ns
    ±20V
    14 ns
    8.1A
    -
    TO-220AB
    20V
    600V
    0.52Ohm
    -
    22A
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    e3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    SWITCHING
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