SPP15N60C3XKSA1备选型号: STP21NM60ND
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- 电压 - 额定直流
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- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 宽度
- 长度
- 高度
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 基本部件号
- 引脚数量
- 操作模式
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 650V 15A TO-2208 WeeksTO-220-3通孔通孔3PG-TO220-3-115A Tc2005CoolMOS™Tube-55°C~150°C TJ不用于新设计1 (Unlimited)150°C-55°C650V15ASingle156W10 nsN-Channel280mOhm @ 9.4A, 10V3.9V @ 675μA无卤素1660pF @ 25V63nC @ 10V650V±20V15A20V600V650V1.66nF250mOhm280 mΩ4.57mm10.36mm15.95mmROHS3 Compliant无铅-----------------
- Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube-TO-220-3通孔通孔3-17A Tc-FDmesh™ IITube150°C TJObsolete1 (Unlimited)----Single140W18 nsN-Channel220m Ω @ 8.5A, 10V5V @ 250μA-1800pF @ 50V60nC @ 10V-±25V17A25V-600V---4.6mm10.4mm15.75mmROHS3 Compliant无铅SILICONe33EAR99220mOhmMatte Tin (Sn) - annealedSTP21N3增强型MOSFETSWITCHING16ns48 ns4VTO-220AB68A无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPP60R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 12A TO-220 | 对比 |
![]() | STP21NM60ND | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube | 对比 |
![]() | SPP16N50C3XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 560V 16A TO-220AB | 对比 |





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