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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥25.761364
10
¥24.303174
100
¥22.927522
500
¥21.629738
1000
¥20.405413
Infineon Technologies SPP15N60C3XKSA1
- 收藏
- 对比
SPP15N60C3XKSA1
1211-SPP15N60C3XKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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MOSFET N-CH 650V 15A TO-220
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SPP15N60C3XKSA1详情
Infineon Technologies SPP15N60C3XKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
包装/外壳
TO-220-3
安装类型
通孔
底架
通孔
引脚数
3
供应商器件包装
PG-TO220-3-1
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
15A Tc
Turn Off Delay Time
50 ns
Power Dissipation (Max)
156W Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
已出版
2005
系列
CoolMOS™
包装
Tube
操作温度
-55°C~150°C TJ
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
650V
额定电流
15A
元素配置
Single
功率耗散
156W
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
280mOhm @ 9.4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.9V @ 675μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1660pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
63nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
650V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
15A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
600V
漏源击穿电压
650V
输入电容
1.66nF
漏源电阻
250mOhm
最大rds
280 mΩ
宽度
4.57mm
长度
10.36mm
高度
15.95mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
SPP15N60C3XKSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies









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