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首页 全部分类 SPP20N65C3XKSA1 vs IPP65R150CFDAAKSA1

SPP20N65C3XKSA1备选型号: IPP65R150CFDAAKSA1

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子位置
  • Reach合规守则
  • 配置
  • 接通延迟时间
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Infineon Technologies
    SPP20N65C3XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220-3
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    20.7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2005
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    650V
    未说明
    20.7A
    未说明
    3
    Single
    增强型MOSFET
    208W
    N-Channel
    SWITCHING
    190m Ω @ 13.1A, 10V
    3.9V @ 1mA
    无卤素
    2400pF @ 25V
    114nC @ 10V
    5ns
    ±20V
    4.5 ns
    20.7A
    TO-220AB
    20V
    650V
    650V
    690 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP65R150CFDAAKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V TO-220-3
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    22.4A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
    2008
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    -
    未说明
    -
    未说明
    3
    -
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    150m Ω @ 9.3A, 10V
    4.5V @ 900μA
    无卤素
    2340pF @ 100V
    86nC @ 10V
    7.6ns
    ±20V
    5.6 ns
    22.4A
    TO-220AB
    20V
    650V
    -
    614 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    SINGLE
    not_compliant
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    12.4 ns
    0.15Ohm
    72A
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