SPP24N60C3XKSA1备选型号: FCP190N60E

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  • 工厂交货时间
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  • 供应商器件包装
  • 操作温度
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 元素配置
  • 阈值电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 650V 24.3A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    TO-220-3
    24.3A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2005
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    650V
    24.3A
    240W
    13 ns
    N-Channel
    160mOhm @ 15.4A, 10V
    3.9V @ 1.2mA
    无卤素
    3000pF @ 25V
    135nC @ 10V
    21ns
    650V
    ±20V
    14 ns
    24.3A
    20V
    600V
    650V
    3nF
    140mOhm
    160 mΩ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FCP190N60E - MOSFET, N-CH, 600V, 20.6A, TO-220
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    20.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperFET® II
    2017
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    208W
    23 ns
    N-Channel
    190m Ω @ 10A, 10V
    3.5V @ 250μA
    -
    3175pF @ 25V
    82nC @ 10V
    14ns
    600V
    ±20V
    15 ns
    20.6A
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    1.8g
    e3
    yes
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    Single
    2.5V
    16.51mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
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