SPP24N60C3XKSA1备选型号: FCP25N60N-F102
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- 电压 - 额定直流
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
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- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
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- 无铅
- 生命周期状态
- 质量
- 无铅代码
- 元素配置
- 操作模式
- 阈值电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- Trans MOSFET N-CH 650V 24.3A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB8 Weeks通孔通孔TO-220-33TO-220-324.3A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2005不用于新设计1 (Unlimited)150°C-55°C650V24.3A240W13 nsN-Channel160mOhm @ 15.4A, 10V3.9V @ 1.2mA无卤素3000pF @ 25V135nC @ 10V21ns650V±20V14 ns24.3A20V600V650V3nF140mOhm160 mΩROHS3 Compliant无铅--------
- FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP25N60N_F102 MOSFET, N CH, 600V, 25A, TO22012 Weeks通孔通孔TO-220-33-25A Tc-55°C~150°C TJTubeSupreMOS™-活跃1 (Unlimited)----216W21 nsN-Channel125m Ω @ 12.5A, 10V4V @ 250μA-3352pF @ 100V74nC @ 10V22ns-±30V5 ns25A30V-600V---ROHS3 Compliant-ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)1.8gyesSingle增强型MOSFET2V无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPP60R125CPXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 25A TO-220 | 对比 |
| FCP190N60E | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | ON SEMICONDUCTOR - FCP190N60E - MOSFET, N-CH, 600V, 20.6A, TO-220 | 对比 | |
| FCP25N60N-F102 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP25N60N_F102 MOSFET, N CH, 600V, 25A, TO220 | 对比 |



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