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SPP80N03S2-03备选型号: SPP100N03S2-03
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- 描述:
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 已出版
- 系列
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-30代码
- 上升时间
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220TO-220-3通孔通孔3SILICON300W Tc2003OptiMOS™Tube-55°C~175°C TJe3Obsolete1 (Unlimited)3EAR99哑光锡雪崩 额定30VSINGLE未说明80A未说明3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET300WN-ChannelSWITCHING3.4m Ω @ 80A, 10V4V @ 250μA7020pF @ 25V150nC @ 10V±20V80ATO-220AB20V符合RoHS标准无铅------ MOSFET N-CH 30V 100A TO-220ABTO-220-3通孔通孔-SILICON100A Tc2003OptiMOS™Tube-55°C~175°C TJe0Obsolete1 (Unlimited)3EAR99Tin/Lead (Sn/Pb)雪崩 额定30VSINGLE未说明100A未说明3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET-N-Channel-3.3m Ω @ 80A, 10V4V @ 250μA7020pF @ 25V150nC @ 10V±20V100ATO-220AB-Non-RoHS Compliant含铅R-PSFM-T340ns0.0033Ohm400A810 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STP160N3LL | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 30V 120A TO-220AB | 对比 |
 | IRLB8314PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 30V 184A TO220 | 对比 |
| SPP100N03S2-03 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB | 对比 |
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