Infineon Technologies SPP80N03S2-03

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

300W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A Tc

已出版

2003

系列

OptiMOS™

包装

Tube

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

30V

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

80A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300W

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.4m Ω @ 80A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7020pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

150nC @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

80A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅