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SPS04N60C3BKMA1备选型号: FCU5N60TU
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 质量
- ECCN 代码
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 达到SVHC
Trans MOSFET N-CH 650V 4.5A 3-Pin(3 Tab) TO-251通孔通孔TO-251-3 Stub Leads, IPakSILICON4.5A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2005e3yesObsolete1 (Unlimited)3Tin (Sn)SINGLE3R-PSIP-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET50WISOLATED6 nsN-ChannelSWITCHING950m Ω @ 2.8A, 10V3.9V @ 200μA不含卤素490pF @ 25V25nC @ 10V2.5ns650V±20V9.5 ns4.5A20V600V0.95Ohm无符合RoHS标准含铅-----------
MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AASILICON4.6A Tc-55°C~150°C TJTubeSuperFET™-e3yes不用于新设计1 (Unlimited)3Tin (Sn)----增强型MOSFET54WISOLATED12 nsN-ChannelSWITCHING950m Ω @ 2.3A, 10V5V @ 250μA-600pF @ 25V16nC @ 10V40ns-±30V22 ns4.6A30V-0.95Ohm无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)36 Weeks3343.08mgEAR99600V4.6ASingle5V600V无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STU7N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3 Tab) IPAK Tube | 对比 |
 | STU9N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2 | 对比 |
 | NDD60N900U1-35G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-3 | 对比 |
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