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SPS04N60C3BKMA1备选型号: STU7N60M2
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 引脚数
- ECCN 代码
- 基本部件号
- 通道数量
- 元素配置
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
Trans MOSFET N-CH 650V 4.5A 3-Pin(3 Tab) TO-251通孔通孔TO-251-3 Stub Leads, IPakSILICON4.5A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2005e3yesObsolete1 (Unlimited)3Tin (Sn)SINGLE3R-PSIP-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET50WISOLATED6 nsN-ChannelSWITCHING950m Ω @ 2.8A, 10V3.9V @ 200μA不含卤素490pF @ 25V25nC @ 10V2.5ns650V±20V9.5 ns4.5A20V600V0.95Ohm无符合RoHS标准含铅--------------
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3 Tab) IPAK Tube通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AASILICON5A Tc-55°C~150°C TJTubeMDmesh™ II Plus---活跃1 (Unlimited)3-----增强型MOSFET60WDRAIN7.6 nsN-ChannelSWITCHING950m Ω @ 2.5A, 10V4V @ 250μA-271pF @ 100V8.8nC @ 10V7.2ns600V±25V15.9 ns5A25V-0.95Ohm无ROHS3 Compliant-ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)26 Weeks3EAR99STU7N1Single5A20A600V99 mJ6.2mm6.6mm2.4mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STU7N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3 Tab) IPAK Tube | 对比 |
 | STU9N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2 | 对比 |
 | NDD60N900U1-35G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-3 | 对比 |
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