SPS04N60C3BKMA1备选型号: STU9N60M2

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 引脚数
  • ECCN 代码
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 650V 4.5A 3-Pin(3 Tab) TO-251
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
    SILICON
    4.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2005
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    3
    R-PSIP-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    50W
    ISOLATED
    6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    950m Ω @ 2.8A, 10V
    3.9V @ 200μA
    不含卤素
    490pF @ 25V
    25nC @ 10V
    2.5ns
    650V
    ±20V
    9.5 ns
    4.5A
    20V
    600V
    0.95Ohm
    符合RoHS标准
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    -
    5.5A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II Plus
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    60W
    -
    8.8 ns
    N-Channel
    -
    780m Ω @ 3A, 10V
    4V @ 250μA
    -
    320pF @ 100V
    10nC @ 10V
    7.5ns
    600V
    ±25V
    13.5 ns
    5.5A
    25V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    26 Weeks
    3
    EAR99
    STU9N
    Single
    650V
    6.2mm
    6.6mm
    2.4mm
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