SPU18P06P备选型号: 2SK4017(Q)

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 阈值电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-251
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    18.6A Tc
    Tube
    SIPMOS®
    2008
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    哑光锡
    175°C
    -55°C
    雪崩 额定
    -60V
    80W
    未说明
    -18.6A
    未说明
    3
    R-PSIP-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    80W
    P-Channel
    130m Ω @ 13.2A, 10V
    4V @ 1mA
    860pF @ 25V
    33nC @ 10V
    5.8ns
    60V
    ±20V
    11 ns
    18.6A
    20V
    0.13Ohm
    -60V
    74.4A
    150 mJ
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TOSHIBA 2SK4017(Q) MOSFET Transistor, N Channel, 5 A, 60 V, 100 mohm, 10 V, 2.5 V
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
    5A Ta
    Bulk
    U-MOSIII
    2009
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    20W
    N-Channel
    100m Ω @ 2.5A, 10V
    2.5V @ 1mA
    730pF @ 10V
    15nC @ 10V
    10ns
    60V
    ±20V
    4 ns
    5A
    20V
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    52 Weeks
    Silver, Tin
    3
    150°C TJ
    2.5V
    2.5 V
    5.5mm
    6.5mm
    2.3mm
    无SVHC
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