我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
SPU18P06P备选型号: FQU13N06LTU-WS
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 无铅代码
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 辐射硬化
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-251通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA18.6A TcTubeSIPMOS®2008e3Obsolete1 (Unlimited)3EAR99哑光锡175°C-55°C雪崩 额定-60V80W未说明-18.6A未说明3R-PSIP-T3不合格Single增强型MOSFET80WP-Channel130m Ω @ 13.2A, 10V4V @ 1mA860pF @ 25V33nC @ 10V5.8ns60V±20V11 ns18.6A20V0.13Ohm-60V74.4A150 mJ符合RoHS标准无铅----------
MOSFET N-CH 60V 11A IPAK通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA11A TcTubeQFET®-e3活跃1 (Unlimited)3-Tin (Sn)-----------Single增强型MOSFET2.5WN-Channel115m Ω @ 5.5A, 10V2.5V @ 250μA350pF @ 25V6.4nC @ 5V90ns-±20V40 ns11A20V0.145Ohm60V44A90 mJROHS3 Compliant-ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)10 Weeks3343.08mgSILICON-55°C~150°C TJyes8 nsSWITCHING无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FQU13N06LTU | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 60V 11A IPAK | 对比 |
| FQU13N06LTU-WS | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 60V 11A IPAK | 对比 |
 | 2SK4017(Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Stub Leads, IPak | TOSHIBA 2SK4017(Q) MOSFET Transistor, N Channel, 5 A, 60 V, 100 mohm, 10 V, 2.5 V | 对比 |
哦! 它是空的。