Infineon Technologies SPU18P06P

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

18.6A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

24.5 ns

包装

Tube

系列

SIPMOS®

已出版

2008

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

-60V

最大功率耗散

80W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

-18.6A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

80W

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

130m Ω @ 13.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

860pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

33nC @ 10V

上升时间

5.8ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

11 ns

连续放电电流(ID)

18.6A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.13Ohm

漏源击穿电压

-60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

74.4A

雪崩能量等级（Eas）

150 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅