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首页 全部分类 SSD2007ATF vs IRF7103TRPBF

SSD2007ATF备选型号: IRF7103TRPBF

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  • 功率耗散
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  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 附加功能
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 行间距
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 双电源电压
  • 场效应管技术
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    SSD2007ATF
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    100 ns
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    50V
    2W
    2A
    2W
    2 N-Channel (Dual)
    300m Ω @ 1.5A, 10V
    4V @ 250μA
    15nC @ 10V
    70ns
    70 ns
    2A
    20V
    50V
    逻辑电平门
    符合RoHS标准
    无铅
    -
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  • Infineon Technologies
    IRF7103TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    2
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    50V
    2W
    3A
    2W
    2 N-Channel (Dual)
    130m Ω @ 3A, 10V
    3V @ 250μA
    30nC @ 10V
    8ns
    25 ns
    3A
    20V
    50V
    Standard
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    12 Weeks
    Tin
    SILICON
    IRF7103TRPBF
    HEXFET®
    1997
    e3
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    130mOhm
    逻辑电平兼容
    鸥翼
    IRF7103PBF
    6.3 mm
    Dual
    增强型MOSFET
    5.1 ns
    SWITCHING
    290pF @ 25V
    3V
    3A
    50V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    100 ns
    3 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
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