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首页 全部分类 SSD2007ATF vs IRF7343TRPBF

SSD2007ATF备选型号: IRF7343TRPBF

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  • 功率耗散
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  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 晶体管元件材料
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  • 已出版
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 行间距
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 极性/通道类型
  • 阈值电压
  • 场效应管技术
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    SSD2007ATF
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    100 ns
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    50V
    2W
    2A
    2W
    2 N-Channel (Dual)
    300m Ω @ 1.5A, 10V
    4V @ 250μA
    15nC @ 10V
    70ns
    70 ns
    2A
    20V
    50V
    逻辑电平门
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7343TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    4.7A 3.4A
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    2W
    4.7A
    2W
    N and P-Channel
    50m Ω @ 4.7A, 10V
    1V @ 250μA
    36nC @ 10V
    10ns
    22 ns
    4.7A
    20V
    55V
    Standard
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    Tin
    SILICON
    HEXFET®
    2004
    e3
    8
    EAR99
    50mOhm
    AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
    DUAL
    鸥翼
    IRF7343PBF
    6.3 mm
    2
    增强型MOSFET
    8.3 ns
    SWITCHING
    740pF @ 25V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    1V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    1 V
    1.75mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
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