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首页 全部分类 SSD2007ATF vs ZXMC4559DN8TC

SSD2007ATF备选型号: ZXMC4559DN8TC

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  • 功率耗散
  • 场效应管类型
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  • 上升时间
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  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 晶体管元件材料
  • 已出版
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  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 场效应管技术
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    SSD2007ATF
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    100 ns
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    50V
    2W
    2A
    2W
    2 N-Channel (Dual)
    300m Ω @ 1.5A, 10V
    4V @ 250μA
    15nC @ 10V
    70ns
    70 ns
    2A
    20V
    50V
    逻辑电平门
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    ZXMC4559DN8TC
    Diodes Incorporated
    DIODES INC. - ZXMC4559DN8TC - MOSFET, NP CH, 60V, 4.7A/3.9A, SO8
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    3.6A 2.6A
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    1.25W
    -
    2.1W
    N and P-Channel
    55m Ω @ 4.5A, 10V
    1V @ 250μA (Min)
    20.4nC @ 10V
    4.1ns
    10 ns
    2.6A
    20V
    -60V
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    -
    12 Weeks
    SILICON
    2006
    e3
    yes
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    鸥翼
    260
    40
    8
    2
    Dual
    增强型MOSFET
    3.5 ns
    SWITCHING
    1063pF @ 30V
    60V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    -1V
    3.6A
    0.055Ohm
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    无SVHC
    无
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