SSM6P35FE,LM备选型号: FDY2001PZ

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  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 供应商器件包装
  • 操作温度
  • 包装
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最大功率耗散
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 输入电容
  • 场效应管特性
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 系列
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 漏源电阻
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET 2NCH 20V 100MA ES6
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    ES6
    100mA
    150°C
    Tape & Reel (TR)
    活跃
    1 (Unlimited)
    150mW
    150mW
    2 P-Channel (Dual)
    8Ohm @ 50mA, 4V
    1V @ 1mA
    12.2pF @ 3V
    20V
    100mA
    12.2pF
    Standard
    8 Ω
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 20V 0.15A SOT-563F
    -
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    SOT-563F
    150mA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    446mW
    446mW
    2 P-Channel (Dual)
    8Ohm @ 150mA, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    100pF @ 10V
    20V
    150mA
    100pF
    逻辑电平门
    8 Ω
    符合RoHS标准
    6
    PowerTrench®
    150°C
    -55°C
    Dual
    630mW
    1.4nC @ 4.5V
    13ns
    13 ns
    8V
    -20V
    8Ohm
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