SSM6P35FE,LM备选型号: FDY2001PZ
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 供应商器件包装
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最大功率耗散
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 输入电容
- 场效应管特性
- 最大rds
- RoHS状态
- 引脚数
- 系列
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 元素配置
- 功率耗散
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 漏源电阻
- MOSFET 2NCH 20V 100MA ES612 Weeks表面贴装表面贴装SOT-563, SOT-666ES6100mA150°CTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)150mW150mW2 P-Channel (Dual)8Ohm @ 50mA, 4V1V @ 1mA12.2pF @ 3V20V100mA12.2pFStandard8 Ω符合RoHS标准------------
- MOSFET 2P-CH 20V 0.15A SOT-563F-表面贴装表面贴装SOT-563, SOT-666SOT-563F150mA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Obsolete1 (Unlimited)446mW446mW2 P-Channel (Dual)8Ohm @ 150mA, 4.5V1.5V @ 250μA100pF @ 10V20V150mA100pF逻辑电平门8 Ω符合RoHS标准6PowerTrench®150°C-55°CDual630mW1.4nC @ 4.5V13ns13 ns8V-20V8Ohm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDV302P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23 | 对比 |
![]() | DMN26D0UT-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-523 | MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523 | 对比 |
| FDY101PZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SC-89, SOT-490 | MOSFET -20VSgl P-Ch -2.5V Spec PwrTrch MOSFET | 对比 |





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