SSVMUN5312DW1T2G备选型号: UMD2NTR
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 基本部件号
- 功率 - 最大
- 晶体管类型
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 电阻基(R1)
- 电阻-发射极基极(R2)
- RoHS状态
- 触点镀层
- 引脚数
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 附加功能
- HTS代码
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 最大输出电流
- 工作电源电压
- 极性
- 元素配置
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 频率转换
- 连续集电极电流
- VCEsat-最大值
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BRT COMPLEMENTARY8 Weeks表面贴装表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-363100mATape & Reel (TR)2007活跃1 (Unlimited)MUN53**DW1187mW1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)60 @ 5mA 10V500nA250mV @ 300μA, 10mA50V22k Ω22k ΩROHS3 Compliant-------------------------------
- TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT613 Weeks表面贴装表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-36350VTape & Reel (TR)2008活跃1 (Unlimited)*MD2-1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)56 @ 5mA 5V500nA300mV @ 500μA, 10mA-22k Ω22k ΩROHS3 CompliantCopper, Tin6yes6EAR99150°C-55°CBUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 18541.21.00.75150mW鸥翼26030mA106100mA50VNPN, PNPDual150mWSWITCHING300mV100mA250MHz50V250MHz30mA0.3 V无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BC847BS-7-F | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANSISTOR, NPN/NPN, SOT363 | 对比 |
| UMD2NTR | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 | 对比 | |
| UMZ1NTR | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6UMT | 对比 |



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