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1

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10

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100

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500

￥1.499918
1000

￥1.41502

ON Semiconductor SSVMUN5312DW1T2G

Name: SSVMUN5312DW1T2G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-SSVMUN5312DW1T2G
Price: 1.79 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

SSVMUN5312DW1T2G

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-SSVMUN5312DW1T2G

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置

封装

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BRT COMPLEMENTARY

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SSVMUN5312DW1T2G ON Semiconductor Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BRT COMPLEMENTARY

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SSVMUN5312DW1T2G详情

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型号对比

ON Semiconductor SSVMUN5312DW1T2G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

8 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Current-Collector (Ic) (Max)

100mA
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2007
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
基本部件号

MUN53**DW1
功率 - 最大

187mW
晶体管类型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

60 @ 5mA 10V
最大集极截止电流

500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 300μA, 10mA
电压 - 集射极击穿（最大值）

50V
电阻基(R1)

22k Ω
电阻-发射极基极(R2)

22k Ω
RoHS状态

ROHS3 Compliant

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SSVMUN5312DW1T2G拓展信息

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