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STB100N6F7备选型号: AUIRFS3306TRL
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- 基本部件号
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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- 连续放电电流(ID)
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- 已出版
- JESD-609代码
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- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 60V 100A F7 D2PAKACTIVE (Last Updated: 8 months ago)22 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB100A Tc-55°C~175°C TJCut Tape (CT)STripFET™ F7活跃1 (Unlimited)EAR99未说明未说明STB100NN-Channel5.6m Ω @ 50A, 10V4V @ 250μA1980pF @ 25V30nC @ 10V60V±20V100AROHS3 Compliant无铅-------------------------
MOSFET N-CH 60V 160A D2PAK-16 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB120A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®活跃1 (Unlimited)EAR9926030-N-Channel4.2m Ω @ 75A, 10V4V @ 150μA4520pF @ 50V125nC @ 10V-±20V120AROHS3 Compliant-Tin3SILICON2011e32AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE鸥翼R-PSSO-G2Single增强型MOSFET230WDRAIN15 nsSWITCHING76ns77 ns20V0.0042Ohm60V620A4.83mm10.67mm9.65mm无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFS7540TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N CH 60V 110A D2PAK | 对比 |
| AUIRFS3306TRL | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 160A D2PAK | 对比 |
| IRFS7540PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N CH 60V 110A D2PAK | 对比 |
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