STB100N6F7备选型号: IRFS7540PBF
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 已出版
- 终止次数
- 终端形式
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- MOSFET N-CH 60V 100A F7 D2PAKACTIVE (Last Updated: 8 months ago)22 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB100A Tc-55°C~175°C TJCut Tape (CT)STripFET™ F7活跃1 (Unlimited)EAR99未说明未说明STB100NN-Channel5.6m Ω @ 50A, 10V4V @ 250μA1980pF @ 25V30nC @ 10V60V±20V100AROHS3 Compliant无铅------------------
- MOSFET N CH 60V 110A D2PAK--表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB58 ns-55°C~175°C TJTubeHEXFET®, StrongIRFET™Discontinued1 (Unlimited)EAR99未说明未说明-N-Channel5.1m Ω @ 65A, 10V3.7V @ 100μA4555pF @ 25V130nC @ 10V-±20V110AROHS3 Compliant无铅33.949996gSILICON20072鸥翼R-PSSO-G21Single增强型MOSFET160WDRAIN12 nsSWITCHING76ns56 ns20V60V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFS7540TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N CH 60V 110A D2PAK | 对比 |
![]() | AUIRFS3306TRL | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 160A D2PAK | 对比 |
![]() | IRFS7540PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N CH 60V 110A D2PAK | 对比 |




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