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STB130N6F7备选型号: IPB90N06S4L04ATMA2
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- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 质量
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- 已出版
- 无铅代码
- 终止次数
- 终端形式
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 60V 80A F7 D2PAK22 WeeksTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装4V @ 250μA160W TcSTripFET™ F7Cut Tape (CT)-55°C~175°C TJ活跃1 (Unlimited)EAR99未说明未说明STB130NN-Channel5m Ω @ 40A, 10V2600pF @ 25V42nC @ 10V60V±20V80AROHS3 Compliant无铅---------------------
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-316 WeeksTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装2.2V @ 90μA90A TcAutomotive, AEC-Q101, OptiMOS™Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJ活跃1 (Unlimited)EAR99未说明未说明-N-Channel3.7m Ω @ 90A, 10V13000pF @ 25V170nC @ 10V-±16V90AROHS3 Compliant无铅31.946308gSILICON2009yes2鸥翼R-PSSO-G21Single增强型MOSFETDRAIN21 ns6ns20 ns16V60V4.4mm10mm9.25mmnot_compliant- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STB100N6F7 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 100A F7 D2PAK | 对比 |
| IPB050N06NGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
| IPB90N06S404ATMA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-263 T/R | 对比 |
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