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STB300NH02L备选型号: NTB125N02RT4
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- 晶体管元件材料
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 箱体转运
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- JEDEC-95代码
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 输入电容
- 雪崩能量等级（Eas）
- 场效应管技术
- 漏源电阻
- 最大rds
MOSFET N Ch 200V 0.15 Ohm 15A Pwr MOSFET表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON120A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)STripFET™Obsolete1 (Unlimited)2SMD/SMTEAR991.8MOhm鸥翼未说明unknown未说明STB300N3R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET300WN-ChannelSWITCHING1.8m Ω @ 80A, 10V2V @ 250μA7055pF @ 15V109.4nC @ 10V275ns±20V94.4 ns80A2V20V24V24V2 V无SVHCROHS3 Compliant无铅--------------------
MOSFET N-CH 24V 15.9A D2PAK表面贴装-D2PAK--1-Cut Tape (CT)-Obsolete1 (Unlimited)2---鸥翼235not_compliant未说明-3R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET2.72W-SWITCHING----39ns-21 ns120.5A-20V24V---Non-RoHS Compliant含铅2006e0Tin/Lead (Sn80Pb20)150°C-55°C8541.29.00.9524V1.98W125ADRAIN24VN-CHANNELTO-220AB95A250A3.44nF120 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR3.7mOhm4.6 mΩ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRL7833SPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK | 对比 |
| STB100NF03L-03T4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-Ch 30 Volt 100 Amp | 对比 |
| NTB125N02RT4 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | D2PAK | MOSFET N-CH 24V 15.9A D2PAK | 对比 |
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