ON Semiconductor NTB125N02RT4

底架

表面贴装

包装/外壳

D2PAK

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

27 ns

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2006

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Tin/Lead (Sn80Pb20)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

HTS代码

8541.29.00.95

电压 - 额定直流

24V

最大功率耗散

1.98W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

235

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

125A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.72W

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

39ns

漏源电压 (Vdss)

24V

极性/通道类型

N-CHANNEL

下降时间（典型值）

21 ns

连续放电电流(ID)

120.5A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

95A

漏源击穿电压

24V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

250A

输入电容

3.44nF

雪崩能量等级（Eas）

120 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

3.7mOhm

最大rds

4.6 mΩ

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅