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STB300NH02L备选型号: STB200NF03T4
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
MOSFET N Ch 200V 0.15 Ohm 15A Pwr MOSFET表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON120A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)STripFET™Obsolete1 (Unlimited)2SMD/SMTEAR991.8MOhm鸥翼未说明unknown未说明STB300N3R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET300WN-ChannelSWITCHING1.8m Ω @ 80A, 10V2V @ 250μA7055pF @ 15V109.4nC @ 10V275ns±20V94.4 ns80A2V20V24V24V2 V无SVHCROHS3 Compliant无铅--------------- Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON120A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)STripFET™ III活跃1 (Unlimited)2SMD/SMTEAR99-鸥翼245-30STB200N3R-PSSO-G2-Single增强型MOSFET300WN-ChannelSWITCHING3.6m Ω @ 60A, 10V4V @ 250μA4950pF @ 25V140nC @ 10V195ns±20V60 ns60A4V20V30V30V4 V无SVHCROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)12 Weekse3Matte Tin (Sn)雪崩 额定30V120ADRAIN30 ns480A4.6mm10.4mm9.35mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRL7833SPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK | 对比 |
| STB100NF03L-03T4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-Ch 30 Volt 100 Amp | 对比 |
| NTB125N02RT4 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | D2PAK | MOSFET N-CH 24V 15.9A D2PAK | 对比 |
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