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STB46N30M5备选型号: IPB64N25S320ATMA1
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- 配置
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- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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- RoHS状态
- 引脚数
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- 最小工作温度
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- 下降时间（典型值）
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- 最大双电源电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 无铅
MOSFET N-CH 300V 53A D2PAK17 WeeksACTIVE (Last Updated: 8 months ago)TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装SILICON250W TcAutomotive, AEC-Q101, MDmesh™ VCut Tape (CT)150°C TJ活跃1 (Unlimited)2EAR99SINGLE鸥翼未说明未说明STB46NR-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING40m Ω @ 26.5A, 10V5V @ 250μA4240pF @ 100V95nC @ 10V300V±25V53A0.04Ohm212A300V550 mJROHS3 Compliant---------------
MOSFET N-CH 250V 64A TO263-314 Weeks-TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装表面贴装-64A TcOptiMOS™Cut Tape (CT)-55°C~175°C TJ活跃1 (Unlimited)-----------N-Channel-20mOhm @ 64A, 10V4V @ 270μA7000pF @ 25V89nC @ 10V250V±20V64A----ROHS3 Compliant3PG-TO263-3-22012175°C-55°C18 ns无卤素20ns12 ns20V250V7nF17.5mOhm20 mΩ含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB407N30NATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH TO263-3 | 对比 |
 | FQB14N30TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 300V 14.4A D2PAK | 对比 |
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