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STB5NK50ZT4备选型号: NTB13N10G
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 已出版
- JESD-609代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- HTS代码
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-Ch 500 Volt 4.4Amp表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3D2PAK4.4A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)SuperMESH™Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C500V4.4ASTB5NSingle70W15 nsN-Channel1.5Ohm @ 2.2A, 10V4.5V @ 50μA535pF @ 25V28nC @ 10V10ns500V±30V15 ns4.4A3.75V30V500V535pF1.5Ohm1.5 Ω4.6mm10.75mm10.4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------------------
MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB--13A Ta-55°C~175°C TJTube-Obsolete1 (Unlimited)--100V13A-Single64.7W-N-Channel165m Ω @ 6.5A, 10V4V @ 250μA550pF @ 25V20nC @ 10V40ns-±20V36 ns13A-20V100V--------符合RoHS标准无铅SILICON2005e32Tin (Sn)8541.29.00.95鸥翼260303R-PSSO-G2不合格增强型MOSFETDRAINSWITCHING0.165Ohm39A85 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTB13N10G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK | 对比 |
 | NTB75N03RG | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 25V 9.7A D2PAK | 对比 |
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