我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
STB6N80K5备选型号: FQB6N60TM
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 终端形式
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 已出版
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
MOSFET POWER MOSFETACTIVE (Last Updated: 8 months ago)26 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3.949996gSILICON4.5A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)SuperMESH5™活跃1 (Unlimited)2EAR99鸥翼STB6NR-PSSO-G21Single增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING1.6 Ω @ 2A, 10V5V @ 100μA255pF @ 100V7.5nC @ 10V800V4.5A30V800V85 mJROHS3 Compliant无铅--------------
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK--表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB--6.2A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)QFET®Obsolete1 (Unlimited)------Single--N-Channel-1.5Ohm @ 3.1A, 10V5V @ 250μA1000pF @ 25V25nC @ 10V600V6.2A30V--符合RoHS标准无铅D2PAK (TO-263AB)2000150°C-55°C600V6.2A3.13W70ns±30V45 ns600V1nF1.5Ohm1.5 Ω- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FQB6N60TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK | 对比 |
 | SPB03N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
哦! 它是空的。