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首页 全部分类 STB6N80K5 vs STB6N65M2

STB6N80K5备选型号: STB6N65M2

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  • 基本部件号
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  • 通道数量
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  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    STB6N80K5
    STMicroelectronics
    MOSFET POWER MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3.949996g
    SILICON
    4.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    SuperMESH5™
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    鸥翼
    STB6N
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    1.6 Ω @ 2A, 10V
    5V @ 100μA
    255pF @ 100V
    7.5nC @ 10V
    800V
    4.5A
    30V
    800V
    85 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STB6N65M2
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STB6N65M2 Power MOSFET, N Channel, 4 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V
    -
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3.949996g
    -
    4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    MDmesh™
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    STB6N
    -
    1
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    1.35 Ω @ 2A, 10V
    4V @ 250μA
    226pF @ 100V
    9.8nC @ 10V
    -
    4A
    25V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    3
    未说明
    未说明
    19 ns
    7ns
    ±25V
    20 ns
    3V
    650V
    无SVHC
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