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STB95N3LLH6备选型号: IRF3709ZSTRRPBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 已出版
- 电阻
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 无铅
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON80A Tc175°C TJCut Tape (CT)DeepGATE™, STripFET™ VIe3yesObsolete1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn) - annealedSINGLE鸥翼245STB95N4R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET70WDRAIN19 nsN-ChannelSWITCHING4.2m Ω @ 40A, 10V2.5V @ 250μA2200pF @ 25V24.5nC @ 4.5V91ns30V±20V23.4 ns80A1V20V0.007Ohm4.6mm10.75mm10.4mm无SVHC无ROHS3 Compliant--------
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON87A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®e3-活跃1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierSINGLE鸥翼260--R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET79WDRAIN13 nsN-ChannelSWITCHING6.3m Ω @ 21A, 10V2.25V @ 250μA2130pF @ 15V26nC @ 4.5V41ns-±20V4.7 ns87A-20V-4.826mm10.668mm9.65mm-无ROHS3 Compliant12 Weeks20016.3MOhm3042A30V60 mJ无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF3709ZSTRRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK | 对比 |
| IRF3709SPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK | 对比 |
| STB155N3LH6 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | 对比 |
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