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首页 全部分类 STD10P6F6 vs FQD13N06LTM

STD10P6F6备选型号: FQD13N06LTM

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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 质量
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  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 接通延迟时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • STMicroelectronics
    STD10P6F6
    STMicroelectronics
    MOSFET P CH 60V 10A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    10A Tc
    175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    DeepGATE™, STripFET™ VI
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    180MOhm
    鸥翼
    STD10
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    35W
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    160m Ω @ 5A, 10V
    4V @ 250μA
    340pF @ 48V
    6.4nC @ 10V
    7ns
    ±20V
    10 ns
    10A
    -4V
    20V
    60V
    40A
    80 mJ
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQD13N06LTM
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    11A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    115mOhm
    鸥翼
    -
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    115m Ω @ 5.5A, 10V
    2.5V @ 250μA
    350pF @ 25V
    6.4nC @ 5V
    90ns
    ±20V
    40 ns
    11A
    2.5V
    20V
    60V
    44A
    90 mJ
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    8 Weeks
    260.37mg
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    60V
    11A
    8 ns
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
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FQD13N06LTM FQD13N06LTM ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R 对比