STD10P6F6备选型号: NTD3055-150T4

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  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • STMicroelectronics
    MOSFET P CH 60V 10A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    10A Tc
    175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    DeepGATE™, STripFET™ VI
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    180MOhm
    鸥翼
    STD10
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    35W
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    160m Ω @ 5A, 10V
    4V @ 250μA
    340pF @ 48V
    6.4nC @ 10V
    7ns
    ±20V
    10 ns
    10A
    -4V
    20V
    60V
    40A
    80 mJ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    SILICON
    9A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    鸥翼
    -
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    28.8W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    150m Ω @ 4.5A, 10V
    4V @ 250μA
    280pF @ 25V
    15nC @ 10V
    37.1ns
    ±20V
    23 ns
    9A
    -
    20V
    60V
    27A
    30 mJ
    -
    -
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    2007
    e0
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    60V
    240
    not_compliant
    9A
    30
    3
    不合格
    9A
    0.15Ohm
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