STD10P6F6备选型号: NTD3055-150T4
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 终端形式
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- MOSFET P CH 60V 10A DPAKACTIVE (Last Updated: 8 months ago)表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON10A Tc175°C TJTape & Reel (TR)DeepGATE™, STripFET™ VI活跃1 (Unlimited)2EAR99180MOhm鸥翼STD10R-PSSO-G2Single增强型MOSFET35WDRAINP-ChannelSWITCHING160m Ω @ 5A, 10V4V @ 250μA340pF @ 48V6.4nC @ 10V7ns±20V10 ns10A-4V20V60V40A80 mJ无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------------
- MOSFET N-CH 60V 9A DPAK-表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63-SILICON9A Ta-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)-Obsolete1 (Unlimited)2EAR99-鸥翼-R-PSSO-G2Single增强型MOSFET28.8WDRAINN-ChannelSWITCHING150m Ω @ 4.5A, 10V4V @ 250μA280pF @ 25V15nC @ 10V37.1ns±20V23 ns9A-20V60V27A30 mJ--Non-RoHS Compliant含铅2007e0Tin/Lead (Sn/Pb)60V240not_compliant9A303不合格9A0.15Ohm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NTD3055-150T4 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 60V 9A DPAK | 对比 |
![]() | FQD13N06LTM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R | 对比 |





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