STD11NM65N备选型号: IPD65R420CFDATMA1

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
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  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
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  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
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  • DS 击穿电压-最小值
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 已出版
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 输入电容
  • 最大rds
  • STMicroelectronics
    MOSFET N CH 650V 11A DPAK
    16 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    3
    SILICON
    110W Tc
    MDmesh™ II
    Tape & Reel (TR)
    150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    STD11
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    455m Ω @ 5.5A, 10V
    4V @ 250μA
    800pF @ 50V
    29nC @ 10V
    650V
    ±25V
    11A
    0.455Ohm
    44A
    650V
    147 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin TO-252 T/R
    18 Weeks
    -
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    3
    -
    8.7A Tc
    CoolMOS™
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    420mOhm @ 3.4A, 10V
    4.5V @ 300μA
    870pF @ 100V
    31.5nC @ 10V
    650V
    ±20V
    8.7A
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    PG-TO252-3
    2008
    150°C
    -55°C
    83.3W
    10 ns
    7ns
    8 ns
    20V
    650V
    870pF
    420 mΩ
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