STD11NM65N备选型号: IPD65R420CFDATMA1
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- 工厂交货时间
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- 晶体管元件材料
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- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 已出版
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 输入电容
- 最大rds
- MOSFET N CH 650V 11A DPAK16 WeeksACTIVE (Last Updated: 8 months ago)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63表面贴装表面贴装3SILICON110W TcMDmesh™ IITape & Reel (TR)150°C TJ活跃1 (Unlimited)2EAR99SINGLE鸥翼未说明未说明STD11R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING455m Ω @ 5.5A, 10V4V @ 250μA800pF @ 50V29nC @ 10V650V±25V11A0.455Ohm44A650V147 mJROHS3 Compliant无铅------------
- Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin TO-252 T/R18 Weeks-TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63表面贴装表面贴装3-8.7A TcCoolMOS™Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJ活跃1 (Unlimited)-----------N-Channel-420mOhm @ 3.4A, 10V4.5V @ 300μA870pF @ 100V31.5nC @ 10V650V±20V8.7A----ROHS3 Compliant无铅PG-TO252-32008150°C-55°C83.3W10 ns7ns8 ns20V650V870pF420 mΩ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPD65R420CFDATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin TO-252 T/R | 对比 |
![]() | IPD65R380E6ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 700V 10.6A Automotive 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R | 对比 |
![]() | STD16N65M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 650V 11A DPAK | 对比 |





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