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STD11NM65N备选型号: STD16N65M2

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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STD11NM65N
    STMicroelectronics
    MOSFET N CH 650V 11A DPAK
    16 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    3
    SILICON
    110W Tc
    MDmesh™ II
    Tape & Reel (TR)
    150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    STD11
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    455m Ω @ 5.5A, 10V
    4V @ 250μA
    800pF @ 50V
    29nC @ 10V
    650V
    ±25V
    11A
    0.455Ohm
    44A
    650V
    147 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
  • STMicroelectronics
    STD16N65M2
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
    16 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    -
    -
    11A Tc
    MDmesh™ M2
    Cut Tape (CT)
    -55°C~150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    未说明
    未说明
    STD16
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    360m Ω @ 5.5A, 10V
    4V @ 250μA
    718pF @ 100V
    19.5nC @ 10V
    650V
    ±25V
    11A
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
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