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STD12NM50ND备选型号: IPD50R380CEAUMA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 已出版
- 无铅代码
- Reach合规守则
- 通道数量
- 无卤素
- 阈值电压
- 最大双电源电压
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度（Tj）
- 场效应管特性
- 高度
MOSFET N-CH 500V 11A DPAK表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON11A Tc150°C TJTape & Reel (TR)FDmesh™ IIe3Obsolete1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn) - annealedSINGLE鸥翼26030STD123R-PSSO-G2SINGLE增强型MOSFET100WDRAIN12 nsN-ChannelSWITCHING380m Ω @ 5.5A, 10V5V @ 250μA850pF @ 50V30nC @ 10V15ns500V±25V17 ns11ATO-252AA25V44A500V无ROHS3 Compliant无铅------------
MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON14.1A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™-活跃3 (168 Hours)2EAR99-SINGLE鸥翼未说明未说明--R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET98WDRAIN7.2 nsN-ChannelSWITCHING380m Ω @ 3.2A, 13V3.5V @ 260μA584pF @ 100V24.8nC @ 10V--±20V-14.1A-20V---ROHS3 Compliant含铅18 Weeks2008yesnot_compliant1无卤素3V500V500V150°C超级交界处2.55mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPD60R380P6ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | INFINEON IPD60R380P6Power MOSFET, N Channel, 10.6 A, 600 V, 0.342 ohm, 10 V, 4 V | 对比 |
 | STD16N50M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 500V 13A DPAK | 对比 |
| IPD50R380CEAUMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252 | 对比 |
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