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首页 全部分类 STD12NM50ND vs IPD60R380P6ATMA1

STD12NM50ND备选型号: IPD60R380P6ATMA1

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  • 场效应管类型
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  • 连续放电电流(ID)
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • STMicroelectronics
    STD12NM50ND
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 500V 11A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    11A Tc
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    FDmesh™ II
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    SINGLE
    鸥翼
    260
    30
    STD12
    3
    R-PSSO-G2
    SINGLE
    增强型MOSFET
    100W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    380m Ω @ 5.5A, 10V
    5V @ 250μA
    850pF @ 50V
    30nC @ 10V
    15ns
    500V
    ±25V
    17 ns
    11A
    TO-252AA
    25V
    44A
    500V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD60R380P6ATMA1
    Infineon Technologies
    INFINEON IPD60R380P6Power MOSFET, N Channel, 10.6 A, 600 V, 0.342 ohm, 10 V, 4 V
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    10.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ P6
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    12 ns
    N-Channel
    -
    380mOhm @ 3.8A, 10V
    4.5V @ 320μA
    877pF @ 100V
    19nC @ 10V
    6ns
    600V
    ±20V
    7 ns
    10.6A
    -
    20V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    18 Weeks
    PG-TO252-3
    3.949996g
    2008
    150°C
    -55°C
    1
    600V
    600V
    877pF
    342mOhm
    380 mΩ
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