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STD13N65M2备选型号: STD13N60M2

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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STD13N65M2
    STMicroelectronics
    In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 10 A, 650 V, 3-Pin DPAK STMicroelectronics STD13N65M2
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    10A Tc
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    MDmesh™ M2
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STD13
    Single
    11 ns
    N-Channel
    430m Ω @ 5A, 10V
    4V @ 250μA
    590pF @ 100V
    17nC @ 10V
    650V
    ±25V
    10A
    25V
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD13N60M2
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    2
    11A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    MDmesh™ II Plus
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    STD13
    Single
    11 ns
    N-Channel
    380m Ω @ 5.5A, 10V
    4V @ 250μA
    580pF @ 100V
    17nC @ 10V
    600V
    ±25V
    11A
    25V
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    2
    380mOhm
    鸥翼
    增强型MOSFET
    110W
    DRAIN
    SWITCHING
    10ns
    9.5 ns
    650V
    44A
    无
    无铅
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