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首页 全部分类 STD30N10F7 vs IRFR540ZTRPBF

STD30N10F7备选型号: IRFR540ZTRPBF

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  • 晶体管元件材料
  • 已出版
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  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • Vgs（最大值）
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • STMicroelectronics
    STD30N10F7
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 100V 30A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    3.949996g
    32A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    DeepGATE™, STripFET™ VII
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STD30N
    1
    Single
    12 ns
    N-Channel
    24m Ω @ 16A, 10V
    4.5V @ 250μA
    1270pF @ 50V
    19nC @ 10V
    17.5ns
    5.6 ns
    32A
    20V
    100V
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFR540ZTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    35A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    260
    30
    -
    -
    Single
    14 ns
    N-Channel
    28.5m Ω @ 21A, 10V
    4V @ 50μA
    1690pF @ 25V
    59nC @ 10V
    42ns
    34 ns
    35A
    20V
    100V
    2.26mm
    6.7056mm
    6.22mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    SILICON
    2004
    e3
    2
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    91W
    DRAIN
    SWITCHING
    ±20V
    TO-252AA
    0.0285Ohm
    140A
    无
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