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首页 全部分类 STD30N10F7 vs NVD6495NLT4G

STD30N10F7备选型号: NVD6495NLT4G

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  • 晶体管元件材料
  • 已出版
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  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • Vgs（最大值）
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • STMicroelectronics
    STD30N10F7
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 100V 30A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    3.949996g
    32A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    DeepGATE™, STripFET™ VII
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STD30N
    1
    Single
    12 ns
    N-Channel
    24m Ω @ 16A, 10V
    4.5V @ 250μA
    1270pF @ 50V
    19nC @ 10V
    17.5ns
    5.6 ns
    32A
    20V
    100V
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NVD6495NLT4G
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET DPAK 100V 23A 56MOHM
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    -
    25A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    260
    10
    -
    1
    -
    11 ns
    N-Channel
    50m Ω @ 10A, 10V
    2V @ 250μA
    1.024nF @ 25V
    35nC @ 10V
    91ns
    71 ns
    25A
    20V
    100V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    20 Weeks
    SILICON
    2014
    e3
    yes
    2
    Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    not_compliant
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    ±20V
    0.054Ohm
    80A
    79 mJ
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