STD3N80K5备选型号: IPD80R2K8CEATMA1

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  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
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  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 已出版
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 通道数量
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 最大双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    17 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    3.949996g
    SILICON
    2.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SuperMESH5™
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    鸥翼
    STD3N
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    DRAIN
    8.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.5 Ω @ 1A, 10V
    5V @ 100μA
    130pF @ 100V
    9.5nC @ 10V
    7.5ns
    25 ns
    2.5A
    30V
    800V
    65 mJ
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    N-Channel 800 V 2.8 O 12 nC CoolMOS CE Power Transistor - DPAK
    -
    18 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    3.949996g
    -
    1.9A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ CE
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    -
    -
    25 ns
    N-Channel
    -
    2.8Ohm @ 1.1A, 10V
    3.9V @ 120μA
    290pF @ 100V
    12nC @ 10V
    15ns
    18 ns
    1.9A
    30V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    PG-TO252-3
    2008
    150°C
    -55°C
    1
    800V
    ±20V
    800V
    290pF
    2.4Ohm
    2.8 Ω
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