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首页 全部分类 STD47N10F7AG vs DMTH8012LK3-13

STD47N10F7AG备选型号: DMTH8012LK3-13

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  • 已出版
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  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • STMicroelectronics
    STD47N10F7AG
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 100V 45A
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    45A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STD47
    N-Channel
    18m Ω @ 22.5A, 10V
    4.5V @ 250μA
    1640pF @ 50V
    25nC @ 10V
    100V
    ±10V
    45A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMTH8012LK3-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 80V 50A TO252
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    50A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    -
    N-Channel
    16m Ω @ 12A, 10V
    3V @ 250μA
    1949pF @ 40V
    34nC @ 10V
    80V
    ±20V
    50A
    ROHS3 Compliant
    -
    23 Weeks
    SILICON
    2015
    e3
    2
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    SINGLE
    鸥翼
    not_compliant
    AEC-Q101
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    0.016Ohm
    80A
    80V
    147 mJ
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